眾所周知，在商用晶片方面，中國一直都是追趕者，無論是華為的麒麟晶片，還是小米的澎湃晶片，而頭部位置依然被高通驍龍、三星、英特爾占據，晶片技術落後他們1~2代。
隨著5G時代到來，華為5G成功地彎道超車，在所有5G專利中拿到了23%，力壓高通等強勁對手，不僅技術上領先，近日在晶片材料上，中國也迎來了重大突破！
據媒體21日最新報道，中國國產化5G通信晶片用氮化鎵材料研製成功，由西安電子科技大學蕪湖研究院攻克了這個難關，並且即將將這項技術商用。
這個氮化鎵材料是基於碳化矽襯底的，碳化矽這個材料硬度很大，莫氏硬度為9.5級，僅次於世界上最硬的金剛石（10級），具有優良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化，氮化鎵+碳化矽這種材料組合在國際第三代半導體技術領域處於領先水平，
為什麼晶片材料國產化如此重要？大家都知道，晶片行業包括材料、設備、晶片線路設計（內核、外圍擴展）、製成研究等過程，現在華為麒麟晶片雖是自主研發，但其內核是買的ARM授權、生產由台積電代工，所以材料這塊一直受限於人，未來材料國產化，外加5G技術超車，真正屬於中國國產的5G晶片指日可待！
很多人不明白，高通5G是真的遜於華為嗎，答案確實如此！今年1月24日，華為面向全球發布了5G多模終端晶片Balong 5000（巴龍5000）以及基於該晶片的首款5G商用終端華為5G CPE Pro，引起業界轟動。
要知道高通最新晶片——驍龍855，也就是小米9和三星S10裝載的，其本身集成的基帶並不支持 5G，想要支持 5G 需要外掛 X50 或 X55 基帶，所以在商用5G上，華為扎紮實實領先高通一個身位！( 金十數據)